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零件图片（仅供参考）
AFT09S200W02GNR3
规格参数
  • 制造商产品型号: AFT09S200W02GNR3
  • 制造厂家名称：Freescale 飞思卡尔半导体（已被NXP恩智浦收购）
  • 功能总体简述: TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD
  • 系列: -
  • 晶体管类型: LDMOS
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）: -
  • 频率: 960MHz
  • 增益: 19.2dB
  • 频率 - 跃迁: -
  • 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -
  • 电压 - 测试: 28V
  • 额定电流: -
  • 功率 - 最大值: -
  • 噪声系数: -
  • 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -
  • 电流 - 测试: 1.4A
  • 功率 - 输出: 56W
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -
  • 安装类型: -
  • 电压 - 额定: 70V
  • 产品封装: OM-780-2
  • 供应商器件封装:
  • AFT09S200W02GNR3，Freescale（飞思卡尔）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AFT09S200W02GNR3
  • 原始制造厂商：Freescale（飞思卡尔）
  • 技术标准参数：TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD
  • 产品应用分类：RF FET
  • 点击此处查询AFT09S200W02GNR3的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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    MCHLC908QT4CPE
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